Pseudo MOSFET 기술에 의한 양성자 조사 SOI 웨이퍼의 캐리어 수명 분석

정성훈; 이용현; 이재성; 권영규; 배영호

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정성훈 이용현 이재성 권영규 배영호

저널정보: 한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제22권 제9호

발행연도: 2009.1

수록면: 732 - 736 (5page)

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Protons are irradiated into SOI wafers under total dose of 100 krad, 500 krad, 1 Mrad and 2 Mrad to analyze the irradiation effect. The electrical properties are analyzed by pseudo MOSFET technology after proton irradiation. The wafers are annealed to stabilize generated defects in a nitrogen atmosphere at 300°C for 1 hour because proton irradiation induces a lot of unstable defects in the surface silicon film. Both negative and positive turn-on voltages are shifted to negative direction after the irradiation. The more proton total dose, the more turn on voltage shifts. It means that positive oxide trap charge is generated in the buried oxide(BOX). The minority carrier lifetime which is analyzed by the drain current transient characteristics decreases with the increase of proton total dose. The proton irradiation makes crystal defects in the silicon film, and consequently, the crystal defects reduce the carrier lifetime and mobility. As these results, it can be concluded that pseudo MOSFET is a useful technology for the analysis of irradiated SOI wafer.

#Pseudo-MOSFET #SOI #Proton #Irradiation #Carrier lifetime

참고문헌 (5)

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J. R. Schwank / 2003 / Radiation effects in SOI technologies / IEEE Transactions on Nuclear Science 5 (3) : 522 ~

S. Cristoloveanu / 1996 / Model for carrier lifetime extraction from pseudo-MOSFET transients / Eelectronics Letters 32 (21) : 2021 ~

S. Cristoloveanu / 2000 / A review of the pseudo-MOS transistor in SOI wafer:operation,parameter extraction,and applications / IEEE Transactions on Electron Devices 47 (5) :

Y. H. Bae / 2005 / Effects of etching processes on the properties of pseudo-MOSFETs for the UTSOI characterization", Silicon on Insulator Technology and Devices 12, PV 2005-03 : 195 ~

배영호 / 2005 / Pseudo MOSFET을 이용한 Nano SOI 웨이퍼의 전기적 특성분석 / 전기전자재료학회논문지 18 (12) : 1075 ~ 1079

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