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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 23 - 28 (6page)
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In this paper, transient characteristics of the Punch Through Insulated Gate Bipolar Transistor (PT-IGBT) have been studied. On the contrary to Non-Punch Through Insulated Gate Bipolar Transistor(NPT-IGBT), it has a buffer layer and reduces switching power loss. It has a simple drive circuit controlled by the gate voltage of the MOSFET and low on-state resistance of the bipolar junction transistor. The transient characteristics of the PT-IGBT have been analyzed analytically. Excess minority carrier and charge distribution in active base region, the rate of anode voltage with time are expressed analytically by adding the influence of buffer layer. The experimental data is obtained from manufacturer. The theoretical predictions of the analysis have been compared with the experimental data obtained from the measurement of a device(600 V, 15 A) and show good agreement.
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A. R. Hefner, Jr. / 1986 / Performance trade-off the insulated gate bipolar transistor: Buffer layer versus base lifetime reduction / also in IEEE PESC Conf. Rec. : 27 ~
A. Ramamurthy / 1999 / Modeling the [dV/dt] of the IGBT during inductive turn off / IEEE Transacions on power Electronics 14 (4) : 601 ~
A.R. Hefner / 1986 / The effect of neutrons on the characteristics of the insulated gate bipolar transistor (IGBT)" / IEEE Transaction on Nuclear Science NS-33 (6) : 1428 ~
A.R. Hefner, Jr. / 1990 / An improved understanding for the transient operation of the power insulated gate bipolar transistor (IGBT)" / IEEE Transaction on Power Electronics
A.R. Hefner, Jr. / 1990 / Analytical modeling of device-circuit interaction for the power insulated gate bipolar transistor(IGBT)" / IEEE Transaction on Industry Applications
A. Ramamurthy / 1999 / Modeling the [dV/dt] of the IGBT during inductive turn off / IEEE Transacions on power Electronics 14 (4) : 601 ~
A.R. Hefner / 1986 / The effect of neutrons on the characteristics of the insulated gate bipolar transistor (IGBT)" / IEEE Transaction on Nuclear Science NS-33 (6) : 1428 ~
A.R. Hefner, Jr. / 1990 / An improved understanding for the transient operation of the power insulated gate bipolar transistor (IGBT)" / IEEE Transaction on Power Electronics
A.R. Hefner, Jr. / 1990 / Analytical modeling of device-circuit interaction for the power insulated gate bipolar transistor(IGBT)" / IEEE Transaction on Industry Applications
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