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저널정보
대한전자공학회 대한전자공학회 학술대회 대한전자공학회 2008년 하계종합학술대회
발행연도
2008.6
수록면
563 - 564 (2page)

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이 논문의 연구 히스토리 (3)

2008

낮은 온-저항과 빠른 스위칭 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
신사무엘 ,  구용서 ,  원종일 외 2명 전기전자학회논문지 2008.06 학술저널
낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
신사무엘 ,  손정만 ,  하가산 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료
낮은 온-저항 특성을 갖는 2500V급 IGBTs
신사무엘 ,  손정만 ,  하가산 외 3명 대한전자공학회 학술대회 2008.06 학술대회자료

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This paper presents a new Insulated Gate Bipolar Transistor(IGBT) for power switching device based on Non Punch Through(NPT) IGBT structure. The proposed structure has adding N+^_@span style=color:#999999 ^_# ... ^_@/span^_#^_@a href=javascript:; onclick=onClickReadNode('NODE01017148');fn_statistics('Z354','null','null'); style='color:#999999;font-size:14px;text-decoration:underline;' ^_#전체 초록 보기^_@/a^_#
#IGBT #Vce.sat #Power Device

목차

Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
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