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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제1호
발행연도
2006.1
수록면
7 - 12 (6page)

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Local minority carrier lifetime control by means of particle irradiation is an useful technology for production of modern silicon power devices. Crystal damage due to ion irradiation can be easily localized by choosing appropriate irradiation energy and minority carrier lifetime can be reduced locally only in the damaged layer. In this work, proton irradiation technology was used for improving the switching characteristics of a pn diode. The irradiation was carried out with various energy and dose condition. The device was characterized by current-voltage, capacitance-voltage, and reverse recovery time measurements. Forward voltage drop was increased to 1.1 V at forward current of 5 A, which was 120 % of its original device. Reverse leakage current was 64 nA at reverse voltage of 100 V, and reverse breakdown voltage was 670 V which was the same voltage as original device without irradiation. The reverse recovery time of device was reduced to about 20 % compared to that of original device without irradiation.
#Proton #Defect #Carrier lifetime #Diode #Power device

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참고문헌 (8)

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/ 1996. / Simulation of forward bias injection in proton irradiated silicon pn-junctions 39 (7) : 1087 ~ google schola / 1999. / Effect of shallow donors induced by hydrogen on p+n junctions : 108 ~ google schola / 1999. / Power Semiconductor Devices Theory and Application : 1 ~ google schola / 2001. / Local lifetime control by light ion irradiation impact on blocking capability of power P-i-N diode 32 : 449 ~ google schola / 2002. / Optimum lifetime structuring in silicon power diodes by means of various irradiation techniques : 414 ~ google schola

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