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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제12호
발행연도
2004.1
수록면
1,264 - 1,270 (7page)

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A fast switching thyristor with a superior trade-off property between the on-state voltage drop and the turn-off time could be fabricated by the proton irradiation method. After making symmetric thyristor dies with a voltage rating of 1,600 V from 350 ㎛ thickness of 60 Ωㆍcm NTD-Si wafer and 200 ㎛ width of n-base drift layer, the local carrier lifetime control by the proton irradiation was performed with help of the HI-13 tandem accelerator in China. The thyristor samples irradiated with 4.7 MeV proton beam showed a superior trade-off relationship of VTM = 1.55 V and tq = 15 s attributed to a very narrow layer of short carrier lifetime(～1 s) in the middle of its n-base drift region. To explain the small increase of VTM, we will introduce the effect of carrier compensation at the low carrier lifetime region by the diffusion current.
#Thyristor #Proton irradiation #Fast switching #Carrier lifetime #Diffusion current

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/ / ISE-TCAD Manuals, google schola / 1977. / Semiconductor Power De- vices : 220 ~ google schola / 1981. / Physics of Semiconductor Devices : 35 ~ google schola / 1985. / The stopping and range of ions in solids google schola / 1990. / Proton irradiation of silicon complete electrical characterization of induced recombination centers 68 : 2702 ~ google schola

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