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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제19권 제3호
발행연도
2006.1
수록면
216 - 221 (6page)

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Lifetime control technique by proton implantation has become an useful tool for production of modern power devices. In this work, punch-through type diodes were irradiated with protons for the high speed power diode fabrication. Proton irradiation which was capable of controlling carrier's lifetime locally was carried out at the various energy and dose conditions. Characterization of the device was performed by current-voltage, capacitance-voltage and reverse recovery time measurement. We obtained enhanced reverse recovery time characteristics which was about 45 % of original device reverse recovery time and about 73 % of electron irradiated device reverse recovery time. The measurement results showed that proton irradiation technique was able to effectively reduce minority carrier lifetime without degrading the other characteristics.
#Proton #Electron #Defect #Carrier lifetime #Diode

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참고문헌 (11)

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/ 1996. / Simulation of forward bias injection in proton irradiated silicon pn-junctions 39 (7) : 1087 ~ google schola / 1999. / Effect of shallow donors induced by hydrogen on p+n junctions 58 (1) : 108 ~ google schola / 1999. / Effect of shallow donors induced by hydrogen on p+n junctions 58 (12) : 108 ~ google schola / 2000. / Ultra-fast recovery diodes meet today's requirements for high frequency operation and power ratings in SMPS applications : 1 ~ google schola / 2001. / Local lifetime control by light ion irradiation impact on blocking capability of power P-i-N diode 32 (5) : 449 ~ google schola

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