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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제16권 제4호
발행연도
2006.1
수록면
157 - 161 (5page)

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혼합소스 HVPE(hydride vapor phase epitaxy) 방법을 이용하여 InGaN 층을 GaN 층이 성장된 사파이어 (0001) 기판 위에 성장하였다. InGaN 층을 성장하기 위해 금속 In에 Ga을 혼합하여 III족 소스로 이용하였으며 V족 소스로는 NH3를 이용하였다. InGaN 층은 금속 In에 Ga을 혼합한 소스와 HCl을 흘려 반응한 In-Ga 염화물이 다시 NH3와 반응하도록 하여 성장하였다. XPS 측정을 통해 혼합소스 HVPE 방법으로 성장한 층이 InGaN 층임을 확인할 수 있었다. 선택 성장된 InGaN 층의 In 조성비는 PL과 CL을 통해서 분석하였다. 그 결과 In 조성비는 약 3 %로 평가되었다. 또한, 4원 화합물인 InAlGaN 층을 성장하기 위해 In 금속에 Ga과 Al을 혼합하여 III족 소스로 사용하였다. 본 논문에서는 혼합소스 HVPE 방법에 의해 III족 소스물질로 금속 In에 Ga(Al)을 혼합한 소스를 이용하여 In(Al)GaN 층을 성장할 수 있음을 확인할 수 있었다.1. 서 론
#HVPE #Mixed-source #InGaN #InAlGaN #XPS #CL #PL

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/ 1992 / GaN, AlN, and InN : A review google schola / 1995 / High-brightness InGaN blue, green and yellow light-emitting diodes with quantum well structures? 34 google schola / 1997 / Metalorganic vapor phase epitaxy of thick InGaN on sapphire substrate? 36 (6A) google schola / 1997 / The blue laser diode google schola / 1999 / Compositional inhomogeneities in InGaN studied by transmission electron microscopy and spatially resolved cathodoluminescence? google schola

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