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본 연구에서는 metal organic vapor phase epitaxy(MOVPE) 방법으로 8
o-off (100) Si 기판 위에 분극이 완화된 (1-101) GaN를 성장한 후 광소자로서의 가능성을 확인하고자 (1-101) GaN 위에 InGaN/GaN MQW 구조를 제작하였으며
암모니아 유량, TMI 유량 그리고 성장 온도 등 다양한 성장 조건에 따른 구조적, 광학적인 특성을 scanning electron microscopy(SEM)와 cathodoluminescence(CL) 을 통하여 관찰하였다. (1-101) GaN 성장시 암모니아 유량이 적을수록 관통전위가 현저히 줄어드는 것을 확인하였다. (1-101) GaN stripe 위에 성장 시킨 InGaN/GaN MQW 구조를 이용하여 성장조건에 따라서 391.5 nm부터 541.2 nm에 이르는 넓은 영역의 범위에서 발광 스펙트럼을 조절할 수 있음을 확인하였다.
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참고문헌 (16)
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A. Chakraborty / 2005 / Properties of nonpolar a-plane a-plane GaN / Appl. Phys. Lett. 86 : 031901 ~
B.A. Haskell / 2003 / Structural and morphological characteristics of planar (11-20) a-plane gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy / Appl. Phys. Lett 83 : 1554
B.A. Haskell / 2004 / / Presented at the IWN 2004
H. Zhang / 2000 / Investigation of preparation and properties of epitaxial growth GaN film on Si(1 1 1) substrate / J. Crystal Growth 210 : 511 ~
H. Zhang / 2002 / An investigation of structural, optical and electrical properties of GaN thin films grown on Si(111) by reaction evaporation / Solid State Electronics 46 :
B.A. Haskell / 2003 / Structural and morphological characteristics of planar (11-20) a-plane gallium nitride grown by hydride vapor phase epitaxy / Appl. Phys. Lett 83 : 1554
B.A. Haskell / 2004 / / Presented at the IWN 2004
H. Zhang / 2000 / Investigation of preparation and properties of epitaxial growth GaN film on Si(1 1 1) substrate / J. Crystal Growth 210 : 511 ~
H. Zhang / 2002 / An investigation of structural, optical and electrical properties of GaN thin films grown on Si(111) by reaction evaporation / Solid State Electronics 46 :
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