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GaN
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/ 1993 / “Metal semiconductor field effect transistor based on single crystal GaN” : 1786 ~
/ 1994 / Pulsed laser deposition of thinfilms : 223 ~
/ 1996 / Improveduniformity of multielement thin films preparedby off-axis pulsed laser deposition using a new heaterdesign 67 : 3229 ~
/ 1996 / Ridge-geometry InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes” 69 : 1477 ~
/ 1996 / “Photoconductive a-GaN prepared by reactive sputtering”
/ 1994 / Pulsed laser deposition of thinfilms : 223 ~
/ 1996 / Improveduniformity of multielement thin films preparedby off-axis pulsed laser deposition using a new heaterdesign 67 : 3229 ~
/ 1996 / Ridge-geometry InGaN multi-quantum-well-structure laser diodes” 69 : 1477 ~
/ 1996 / “Photoconductive a-GaN prepared by reactive sputtering”
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