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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.1
- 수록면
- 195 - 199 (5page)
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Production of the silicon feedstock for the semiconductor industry cannot meet the requirement for the solar cell
industry because the production volume is too small and production cost is too high. This situation stimulates the solar cell
industry to try the lower grade silicon feedstock like UMG (Upgraded Metallurgical Grade) silicon of 5~6 N in purity.
However, this material contains around 1 ppma of dopant atoms like boron or phosphorous. Calculation of the composition
profile of these impurities using segregation coefficient during crystal growth makes us expect the change of the type from
p to n : boron rich area in the early solidified part and phosphorous rich area in the later solidified part of the silicon
ingot. It was expected that the change of the growth speed during the silicon crystal growth is effective in controlling the
amount of the metal impurities but not effective in reducing the amount of dopants.
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참고문헌 (8)
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/ 2007 / Solar Power / Solar Energy Materials & Solar Cells 91 : 440 ~
/ 2008 / PHOTON International : 144 ~
A. Muller / 2006 / Silicon for photovoltaic applications / Materials Science and Engineering B 134 : 257 ~
D. Sarti / 2002 / Silicon feedstock for the multi-crystalline photovoltaic industry / Solar Energy Materials & Solar Cells 72 : 27 ~
F. Shimura / 1989 / Semiconductor silicon crystal technology / Academic Press. Inc. : 146 ~
/ 2008 / PHOTON International : 144 ~
A. Muller / 2006 / Silicon for photovoltaic applications / Materials Science and Engineering B 134 : 257 ~
D. Sarti / 2002 / Silicon feedstock for the multi-crystalline photovoltaic industry / Solar Energy Materials & Solar Cells 72 : 27 ~
F. Shimura / 1989 / Semiconductor silicon crystal technology / Academic Press. Inc. : 146 ~
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