Control of axial segregation by the modification of crucible geometry

이경희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이경희

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제18권 제5호

발행연도: 2008.1

수록면: 191 - 194 (4page)

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We will focus on the horizontal Bridgman growth system to analyze the transport phenomena numerically, because the simple furnace system and the confined growth environment allow for the precise understanding of the transport phenomena in solidification process. In conventional melt growth process, the dopant concentration tends to vary significantly along the crystal. In this work, we propose the modification of crucible geometry for improving the productivity of silicon single-crystal growth by controlling axial specific resistivity distribution. Numerical analysis has been performed to study the transport phenomena of dopant impurities in conventional and proposed Bridgman silicon growth using the finite element method and implicit Euler time integration. It has been demonstrated using mathematical models and by numerical analysis that proposed method is useful for obtaining crystals with superior uniformity along the growth direction at a lower cost than can be obtained by the conventional melt growth process.

#Segregation #Bridgman #Silicon #Dopant #Simulation

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A. Anselmo / 1993 / Numerical and experimental study of a solid pellet feed continuous Czochralski growth process for silicon single crystals / J. Crystal Growth 131 : 247 ~

A. Anselmo / 1996 / Full-scale experiments on solid-pellets feed continuous Czochralski growth of silicon crystals / J. Crystal Growth 163 : 359 ~

D.R. Lynch / 1980 / Finite element simulation of flow in deforming regions / J. Comput. Phys 36 : 135 ~

F. Shimura / 1989 / Semiconductor Silicon Crystal Technology / Academic Press : 96 ~

J.H. Wang / 1997 / Modelling of crystal growth process in heat exchanger method / J. Crystal Growth 174 : 13 ~

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