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저널정보
한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제15권 제2호
발행연도
2005.1
수록면
45 - 50 (6page)

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규소 표면의 기계적 손상은 산화 공정 중에 규소 표면에 여러 가지 형태의 결함들을 발생 시킨다. 규소 표면에 손상을 주는 마모 입자가 커짐에 따라 OISF보다는 etch pit의 형상이 동굴형인 선 결함(line defects)들이 많이 발생된다. 이들 결함들은 실리콘 결정을 성장 시키는 단계에서 형성되는 결함들과는 상호 관련이 없다. 방향성 응고법으로 성장된 규소 결정속에 존재하는 결함들은 주로 twin과 stacking fault들이며 응고과정에서 발생이 예상되는 응력에 의한 전위는 거의 발견되지 않았다. 따라서 Czochralski 법으로 성장된 단 결정 규소뿐 아니라 방향성 응고법으로 성장된 다 결정 규소 기판도 표면의 결함들을 이용하여 extrinsic gettering을 통한 규소 결정 내부의 불순물 제거의 가능성이 높다.
#Mechanical damage #Dislocation loop #Stacking faults #Silicon crystal

목차

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참고문헌 (11)

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C.-Y. Choi / 1999 / Characterization of mechanical damage on structural and electrical properties of silicon wafers : 2011 ~ google schola D. Hull / 1984 / Introduction to dislocation : 172 ~ google schola F. Secco d'Aragona / 1972 / planes in silicon : 948 ~ google schola H.J. Queisser / 1964 / Growth of lattice defects in silicon during oxidation j. appl. phys. 35 : 3066 ~ google schola H.S. Oh / 1999 / In Defects in Silicon : 100 ~ 1 google schola

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