High resistivity Czochralski-grown silicon single crystals for power devices

이경희

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자료유형: 학술저널

저자정보: 이경희

저널정보: 한국결정성장학회 한국결정성장학회지 한국결정성장학회지 제18권 제4호

발행연도: 2008.1

수록면: 137 - 139 (3page)

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Floating zone, neutron transmutation-doped and magnetic Czochralski silicon crystals are being widely used for fabrication power devices. To improve the quality of these devices and to decrease their production cost, it is necessary to use large-diameter wafers with high and uniform resistivity. Recent developments in the crystal growth technology of Czochralski silicon have enable to produce Czochralski silicon wafers with sufficient resistivity and with well-controlled, suitable concentration of oxygen. In addition, using Czochralski silicon for substrate materials may offer economical benefits. First, Czochralski silicon wafers might be cheaper than standard floating zone silicon wafers. Second, Czochralski wafers are available up to diameter of 300 mm. Thus, very large area devices could be manufactured, which would entail significant saving in the costs. In this work, the conventional Czochralski silicon crystals were grown with higher oxygen concentrations using high pure polysilicon crystals. The silicon wafers were annealed by several steps in order to obtain saturated oxygen precipitation. In those wafers high resistivity over 5,000 Ω·cm is kept even after thermal donor formation annealing.

#High resistivity #Czochralski #Silicon #Power devices #Oxygen precipitation

참고문헌 (7)

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E. Tuominen / 2003 / Test beam results of a large area strip detector made on high resistivity Czochralski silicon / Nucl. Phys. B 125 : 175 ~

F. Shimura / 1989 / Semiconductor Silicon Crystal Technology / Academic Press : 379 ~

H.-J. Schulze / 1998 / Influence of silicon crystal defects and contamination on the electrical behavior of power devices / Solid-State Electronics 42 : 2187 ~

J. Harkonen / 2003 / Processing of microstrip detectors on Czochralski grown high resistivity silicon substrates / Nucl. Instr. and Meth. A 514 : 173 ~

J. Harkonen / 2005 / Particle detectors made of highresistivity Czochralski silicon / Nucl. Instr. and Meth. A 541 : 202 ~

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