지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.1
- 수록면
- 246 - 251 (6page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
최근 태양전지의 효율을 증가시키기 위한 연구가 많이 이루어지고 있으며, 특히 단결정 실리콘 웨이퍼의 경우높은 효율을 낼 수 있는 소재로써 고효율 태양전지연구에 많이 이용되고 있다. 본 연구에서는 단결정으로 Czochralski(Cz)-Si 성장 시 산소농도를 다르게 하여 산소석출결함의 변화와 그에 따른 셀효율과의 관계를 비교하였다. 산소불순물은 Cz법으로 성장시킨 실리콘의 주된 불순물이다. 산소불순물 존재 시 태양전지 공정에서 산소석출결함이 생성되며 발생된 산소석출결함은 셀효율에 악영향을 미치게 된다. 그러므로 고효율 태양전지를 위한 웨이퍼를 생산하기 위한 산소석출결함 밀도와셀효율의 상관성을 연구하였다. 또한 산소농도에 따른 산소석출결함을 분석하여 산소석출결함이 발생되지 않는 잉곳 내 산소농도 범위를 연구하여 14.5 ppma 이하에서 Bulk Micro Defect(BMD)가 발생하지 않음을 확인하였다.
목차
등록된 정보가 없습니다.
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
B.M. Park / 2000 / Effect of a macroscopic fluctuation in pulling rate on the formation ofgrown-in defects in Cz-Si single crystal / Korean J. Crystallography 4 : 200 ~
B.Y. Lee / 1999 / Study on oxygen precipitation behavior in Si wafers / Korean J. Crystallography 1 : 84 ~
C.M. Park / 2013 / Technology trends and prospects of siliconsolar cells / Current Photovoltaic Research 1 : 11 ~
E. Martinez / 1987 / Atomic oxygenin silicon: the formation of the SiO-Si bond / Phys. Rev. B 36 : 8043 ~
J.M. Hwang / 1986 / Recombination propertiesof oxygen-precipitated silicon / J. Appl. Phys 59 : 2476 ~
B.Y. Lee / 1999 / Study on oxygen precipitation behavior in Si wafers / Korean J. Crystallography 1 : 84 ~
C.M. Park / 2013 / Technology trends and prospects of siliconsolar cells / Current Photovoltaic Research 1 : 11 ~
E. Martinez / 1987 / Atomic oxygenin silicon: the formation of the SiO-Si bond / Phys. Rev. B 36 : 8043 ~
J.M. Hwang / 1986 / Recombination propertiesof oxygen-precipitated silicon / J. Appl. Phys 59 : 2476 ~
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0