TSV 기반 3차원 소자의 열적-기계적 신뢰성

윤태식; 김택수

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자료유형: 학술저널

저자정보: 윤태식 김택수

저널정보: 한국마이크로전자및패키징학회 마이크로전자 및 패키징학회지 마이크로전자 및 패키징학회지 제24권 제1호

발행연도: 2017.1

수록면: 35 - 43 (9page)

이용수

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The three-dimensional integrated circuit (3D-IC) is a general trend for the miniaturized and high-performance electronic devices. The through-silicon-via (TSV) is the advanced interconnection method to achieve 3D integration, which uses vertical metal via through silicon substrate. However, the TSV based 3D-IC undergoes severe thermo-mechanical stress due to the CTE (coefficient of thermal expansion) mismatch between via and silicon. The thermo-mechanical stress induces mechanical failure on silicon and silicon-via interface, which reduces the device reliability. In this paper, the thermo-mechanical reliability of TSV based 3D-IC is reviewed in terms of mechanical fracture, heat conduction, and material characteristic. Furthermore, the state of the art via-level and package-level design techniques are introduced to improve the reliability of TSV based 3D-IC.

#Through-Silicon-Via #Coefficient of Thermal Expansion #Thermal conductivity #Fracture #Reliability

참고문헌 (28)

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A. P. Karmarkar / 2009 / Performanace and reliability analysis of 3D-integration structures employing through silicon via (TSV) / 2009 IEEE Int. Rel. Phys. Symp 682

B. Wu / 2010 / High aspect ratio silicon etch: A review / J. Appl. Phys 108 : 051101-1 ~

B. Xie / 2010 / Novel sequential electro-chemical and thermo-mechanical simulation methodology for annular through-silicon-via (TSV)design / 2010 Proc. 60th. ECTC (1166)

C. Okoro / 2014 / A detailed failure analysis examination of the effect of thermal cycling on Cu TSV reliability / IEEE Trans. Electon Devices 61 : 15 ~

C. S. Selvanayagam / 2009 / Nonlinear thermal stress/strain analyses of copper filled TSV (through silicon via) and their flip-chip microbumps / IEEE Trans. Adv. Packag 32 :

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윤태식

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주요연구분야 공학 > 재료·에너지공학 > 재료공학

논문수 2 이용수 32

김택수

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