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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.7
- 수록면
- 9 - 16 (8page)
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본 논문에서는 short-gate SOI MESFET의 문턱전압 도출을 위한 간단한 해석적 모델을 제시하였다. 완전 공핍된 실리콘채널 영역에서는 2차원 Poisson 방정식을, buried oxide 영역에서는 2차원 Laplace 방정식을 반복법(iteration method)을 이용해 풀어 각 영역 내에서의 전위 분포를 채널에 수직한 방향의 좌표에 대해 5차 다항식으로 표현하였으며 채널 바닥 전위를 구하였다. 채널 바닥 전위의 최소치가 0이 되는 게이트 전압을 문턱 전압으로 제안하여 closed-form의 문턱 전압 식을 도출하였다. 도출된 문턱 전압 표현 식을 모의 실험한 결과, 소자의 구조 parameter와 가해진 bias 전압에 대한 정확한 의존성을 확인할 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. SOI MESFET의 문턱 전압 모델
Ⅲ. 모의 실험 결과 및 검토
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (18)
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1. [학술지(정기간행물)] - J. D. Marshall / 1988 / A sub- and near-threshold current model for silicon MESFETs / IEEE Trans. Electron Devices ED-35 : 388 ~ 390
2. [학술지(정기간행물)] - Q. Chen / 1993 / Fabrication and performances of delta-doped Si n-MESFET grown by MBE / Electron. Lett 29 : 671 ~ 673
3. [학술지(정기간행물)] - A. Georagkilas / 1993 / Microwave performance of GaAs-on-Si MESFETs with Si buffer layers / IEEE Trans. Electron Devices 40 : 507 ~ 512
4. [학술지(정기간행물)] - C. D. Hartgring / 1981 / Silicon MESFET digital circuit techniques / IEEE J. Solid-State Circuits 16 : 578 ~ 584
5. [학술지(정기간행물)] - K. P. MacWiliams / 1991 / Device physics and technology of complementary silicon MESFETs for VLSI applications / IEEE Trans. Electron Devices 38 : 2619 ~ 2631
2. [학술지(정기간행물)] - Q. Chen / 1993 / Fabrication and performances of delta-doped Si n-MESFET grown by MBE / Electron. Lett 29 : 671 ~ 673
3. [학술지(정기간행물)] - A. Georagkilas / 1993 / Microwave performance of GaAs-on-Si MESFETs with Si buffer layers / IEEE Trans. Electron Devices 40 : 507 ~ 512
4. [학술지(정기간행물)] - C. D. Hartgring / 1981 / Silicon MESFET digital circuit techniques / IEEE J. Solid-State Circuits 16 : 578 ~ 584
5. [학술지(정기간행물)] - K. P. MacWiliams / 1991 / Device physics and technology of complementary silicon MESFETs for VLSI applications / IEEE Trans. Electron Devices 38 : 2619 ~ 2631
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