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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.11
- 수록면
- 21 - 28 (8page)
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본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET의 포화영역에서의 I-V 특성을 도출하기 위한 해석적 모델을 제안하였다. 기존의 단 채널 GaAs MESFET에 대한 해석이 채널 pinch-off의 개념이 도입되는 모델이었던 반면, 본 논문에서는 전자의 속도 포화영역이 유한한 채널 폭을 갖으면서 전류 연속 조건을 만족하도록 공핍영역의 2차원 전위 분포 식을 도출하였다. 또한 속도 포화영역의 길이를 채널 전체 길이, 채널 도핑 농도, 게이트 전압 및 드레인 전압의 함수로 도출하여 포화영역에서의 Early 효과를 보다 합리적으로 설명할 수 있음을 보이고 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델의 기본 구성
Ⅲ. 시뮬레이션 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (18)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - P. C. Choa / 1983 / Channel-Length Effects in Quarter-Micrometer Gate-Length GaAs MESFET's / IEEE Electron Device Lett 4 (9) : 326 ~ 328
2. [학술지(정기간행물)] - P. Pouvil / 1988 / A New Analytical Model for the GaAs MESFET in the Saturation Region / IEEE Trans. Electron Devices 35 (8) : 1215 ~ 1222
3. [학술지(정기간행물)] - C. -H. Chen / 1989 / The Influence of Electric Field and Mobility Profile on GaAs MESFET Characteristics / IEEE Trans. Electron Devices 36 (11) : 2405 ~ 2414
4. [학술지(정기간행물)] - C. -S. Chang / 1989 / Analytic Theory for Current-Voltage Characteristics and Field Distribution of GaAs MESFET's / IEEE Trans. Electron Devices 36 (2) : 269 ~ 280
5. [학술지(정기간행물)] - K. L. Tan / 1987 / Improvement in Threshold-Voltage Uniformity in Submicrometer GaAs MESFET's Using an Implanted p Layer / IEEE Electron Device Lett 8 (9) : 440 ~ 442
2. [학술지(정기간행물)] - P. Pouvil / 1988 / A New Analytical Model for the GaAs MESFET in the Saturation Region / IEEE Trans. Electron Devices 35 (8) : 1215 ~ 1222
3. [학술지(정기간행물)] - C. -H. Chen / 1989 / The Influence of Electric Field and Mobility Profile on GaAs MESFET Characteristics / IEEE Trans. Electron Devices 36 (11) : 2405 ~ 2414
4. [학술지(정기간행물)] - C. -S. Chang / 1989 / Analytic Theory for Current-Voltage Characteristics and Field Distribution of GaAs MESFET's / IEEE Trans. Electron Devices 36 (2) : 269 ~ 280
5. [학술지(정기간행물)] - K. L. Tan / 1987 / Improvement in Threshold-Voltage Uniformity in Submicrometer GaAs MESFET's Using an Implanted p Layer / IEEE Electron Device Lett 8 (9) : 440 ~ 442
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