지원사업
학술연구/단체지원/교육 등 연구자 활동을 지속하도록 DBpia가 지원하고 있어요.
커뮤니티
연구자들이 자신의 연구와 전문성을 널리 알리고, 새로운 협력의 기회를 만들 수 있는 네트워킹 공간이에요.
논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2005.1
- 수록면
- 25 - 32 (8page)
이용수
초록· 키워드
오류제보하기
본 논문에서는 단 채널 GaAs MESFET과 SOI-구조의 Si JFET 가 갖는 전형적인 특성 i) 드레인 전압 인가에 의한 문턱전압 roll-off, ii) 포화영역에서의 유한한 ac 출력저항, iii) 채널길이에 대한 드레인 포화전류의 의존성 약화, 퉁을 통합적으로 기술할 수 있는 해석적 모델을 제안하였다 채널 방향의 전계 변화를 포함하는 새로운 형태의 가정을 기존의 GCA 와 대체하고, 채널의 전류 연속성과 전계-의존 이동도를 고려하여, 공핍영역과 전도 채널에서 2차원 전위분포 식을 도출해 내었다. 이 결과, 문턱전압, 드레인 전류의 표현 식들이 동작전압 전 구간의 영역에 걸쳐 비교적 정확하게 도출되었다 또한 본 모델은 기존의 채널 shortening 모델에 비해 Early 효과에 대한 보다 더 적절한 설명을 제공하고 있음을 보이고 있다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 모델의 기본 구성
Ⅲ. 시뮬레이션 예시 및 검토
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (14)
참고문헌 신청
[학술지(정기간행물)] - J. Gautier / 1988. / A New analytical model for the GaAs MESFET in the saturation region 35 (8) : 1215 ~ 1222
[학술지(정기간행물)] - C. H. Chen / 1989. / The influence of electric field and mobility profile on GaAs MESFET characteristics 36 (11) : 2405 ~ 2416
[학술지(정기간행물)] - C. S. Chang / 1989. / Analytical theory for current-voltage characteristic and field distribution of GaAs MESFET's 36 (2) : 269 ~ 280
[학술지(정기간행물)] - P. C. Choa / 1987. / Channel length effects in quarter micrometer gate-length GaAs MESFET's edl-8 : 440 ~ 442
[학술지(정기간행물)] - H. L. Grubin / 1977. / Large-signal numerical simulation of field-effect transistors cornell uni : 16 ~ 19
[학술지(정기간행물)] - C. H. Chen / 1989. / The influence of electric field and mobility profile on GaAs MESFET characteristics 36 (11) : 2405 ~ 2416
[학술지(정기간행물)] - C. S. Chang / 1989. / Analytical theory for current-voltage characteristic and field distribution of GaAs MESFET's 36 (2) : 269 ~ 280
[학술지(정기간행물)] - P. C. Choa / 1987. / Channel length effects in quarter micrometer gate-length GaAs MESFET's edl-8 : 440 ~ 442
[학술지(정기간행물)] - H. L. Grubin / 1977. / Large-signal numerical simulation of field-effect transistors cornell uni : 16 ~ 19
함께 읽어보면 좋을 논문
논문 유사도에 따라 DBpia 가 추천하는 논문입니다. 함께 보면 좋을 연관 논문을 확인해보세요!
-
단 채널 GaAs MESFET의 속도 포화영역에서 2차원 전위 도출을 위한 해석적 모델
전자공학회논문지-SD
2008 .11
-
Short-gate SOI MESFET의 문턱 전압 표현 식 도출을 위한 해석적 모델
전자공학회논문지-SD
2008 .07
-
채널길이 변화를 이용한 GaAs MESFET 모델과 그의 전류-전압 특성 계산 ( A Study on GaAs MESFET Model Using the Channel Length Modulation and its Computing of I-V Characteristics )
대한전자공학회 학술대회
1989 .01
-
선형 공핍층 근사를 사용한 단채널 GaAs MESFET의 전류 전압 특성 연구 ( A Study on the Current-Voltage Characteristics of a Short-Channel GaAs MESFET Using a New Linearly Graded Depletion Edge Approximation )
전자공학회논문지-IE
2000 .06
-
채널길이 변화를 이용한 GaAs MESFET의 모델 ( A Model of GaAs MESFET with Channel Length Modulation )
전자공학회논문지
1990 .04
-
채널길이변조를 이용한 GaAs MESFET 모델 ( GaAs MESFET Model using Channel-length Modulation )
전자공학회논문지-T
1998 .06
-
GaAs MESFET의 새로운 드레인 전류 모델 ( A New Drain-Current Model OF GaAs MESFET )
전자공학회논문지-A
1995 .08
-
바이어스 효과를 포함하는 GaAs MESFET 의 새로운 비선형 채널전류 모형 ( A New MESFET Channel Current Model Including Bias-Dependent Dispersion Effect )
전자공학회논문지-D
1997 .04
-
GaAs MESFET의 채널전하에 의한 전기적 특성해석
대한전기학회 학술대회 논문집
2005 .10
-
단채널 GaAs MESFET의 DC 특성 및 광전류 특성의 해석적 모델에 대한 연구
전자공학회논문지-SD
2004 .03
-
SOI MOSFET의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I-V 특성 연구 ( A Study on Threshold Voltage and I-V Characteristics by Considering the Short-Channel Effect of SOI MOSFET )
대한전자공학회 학술대회
1993 .01
-
GaAs MESFET의 AC특성 모델에 관한 연구 ( A Model for AC Characteristics of GaAs MESFET`s )
전자공학회논문지
1988 .02
-
MESFET 채널전류 측정용 펄스 I-V 시스템 ( A Pulsed I-V System to Measure the Channel Current of MESFETs )
대한전자공학회 학술대회
1996 .05
-
GaAs Power MESFET의 항복전압에 관한 연구 ( A Study on Breakdown Voltage of GaAs Power MESFET`s )
전자공학회논문지
1990 .07
-
Short-Channel Intrinsic-Body SDG SOI MOSFET의 문턱전압 도출을 위한 해석적 모델
전자공학회논문지-SD
2009 .11
-
Review of GaAs Mesfet Modeling
한국통신학회 워크샵
1986 .01
-
GaAs MESFET의 해석적 모델화 : 게이트 전압 의존성을 가지는 기생 저항들, Rs, Rd
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
-
GaAs Mesfet의 해석적 모델화 : 게이트 전압 의존성을 가지는 기생 저항들 , Rs , Rd ( Analytical Modeling of GaAs Mesfet`s : Gate Voltage Dependence of Parasitic Series Resistances , Rs , Rd )
대한전자공학회 학술대회
1990 .11
-
5G/6G 통신 채널 특성 및 채널 모델 분석
한국통신학회 학술대회논문집
2020 .02
-
SOI MOSFET 의 단채널 효과를 고려한 문턱전압과 I - V 특성연구 ( A Study on Threshold Voltage I - V Characteristics by considering the Short - Channel Effect of SOL MOSFET )
전자공학회논문지-A
1994 .08
이 논문의 저자 정보
최근 본 자료
댓글(0)
0
UCI(KEPA) : I410-ECN-0101-2009-569-014461995