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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2010.12
- 수록면
- 17 - 23 (7page)
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본 논문에서는 단 채널 bulk-type MOSFET의 문턱전압의 표현식을 해석적으로 도출하는 모델을 제시하였다. 게이트 절연층 내에서는 2차원 Laplace 방정식을, silicon body 내 공핍층에서는 2차원 Poisson 방정식을 Fourier 계수 방법을 이용하여 풀어냈으며, 이로부터 채널 표면전위의 최소치를 도출하고 문턱 전압 표현 식을 도출하였다. 도출된 문턱전압 표현식을 모의 실험한 결과, 소자의 각종 parameter와 bias 전압에 대한 의존성을 비교적 정확히 도출할 수 있음을 확인할 수 있었다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. Bulk-type MOSFET의 문턱전압 모델
Ⅲ. 모의 실험 결과
Ⅳ. 결론
참고문헌
저자소개
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1. [기타자료] - ITRS / 2008 / International Technology Roadmap for semiconductors
2. [학술지(정기간행물)] - Baccarani G / 1984 / Generalized scaling theory and it's application a 1/4 micrometer MOSFET design / IEEE Trans. Electron Devices 31 (4) : 452 ~
3. [학술지(정기간행물)] - L.D.Yau / 1974 / A Simple theory to predict the threshold voltage of short-channel IGFET's / Solid-State Electron 26 : 1059 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Toru Toyabe / 1979 / Analytical Models of Threshold Voltage and Breakdown Voltage of Short-Channel MOSFET's Derived from Two- Dimensional Analysis / IEEE Trans. Electron Devices 26 (4) : 453 ~
5. [학술지(정기간행물)] - K.N.Ratnakumar / 1982 / Short- Channel MOST Threshold Voltage Model / IEEE Journal of Solid State Circuits 17 (5) : 937 ~
2. [학술지(정기간행물)] - Baccarani G / 1984 / Generalized scaling theory and it's application a 1/4 micrometer MOSFET design / IEEE Trans. Electron Devices 31 (4) : 452 ~
3. [학술지(정기간행물)] - L.D.Yau / 1974 / A Simple theory to predict the threshold voltage of short-channel IGFET's / Solid-State Electron 26 : 1059 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Toru Toyabe / 1979 / Analytical Models of Threshold Voltage and Breakdown Voltage of Short-Channel MOSFET's Derived from Two- Dimensional Analysis / IEEE Trans. Electron Devices 26 (4) : 453 ~
5. [학술지(정기간행물)] - K.N.Ratnakumar / 1982 / Short- Channel MOST Threshold Voltage Model / IEEE Journal of Solid State Circuits 17 (5) : 937 ~
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