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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2008.2
- 수록면
- 1 - 6 (6page)
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Long-channel Asymmetric Double-Gate (ADG) MOSFET의 해석적 문턱전압 모델을 제시한다. 본 모델은 채널 도핑과 채널의 양자효과까지 고려하였으며 더 나아가 문턱전압 영역에서 potential 분포의 선형특성을 이용하여 기존의 모델보다 간단하면서도 정확한 접근을 가능하게 하였다. 개발한 모델의 정확도는 다양한 실리콘 필름의 두께, 채널 도핑, 그리고 산화막 두께변화에 대하여 numerical 시뮬레이션 결과와 비교하여 검증하였다.
목차
요약
Abstract
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 본론
Ⅲ. 결론
참고문헌
저자소개
참고문헌 (8)
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1. [학술지(정기간행물)] - D. Frank / 2001 / Device Scaling Limits of Si MOSFETs and their Application Dependencies / Proc. IEEE 89 (3) : 259 ~
2. [학술지(정기간행물)] - T. Poiroux / 2006 / Multigate silicon MOSFETs for 45 nm node and beyond / Solid-State Electronics 50 (1) : 18 ~
3. [학술대회논문] - D. Munteanu / 2003 / Unified Analytical Model of Threshold Voltage in Symmetric and Asymmetric Double-Gate MOSFETs / Proc. of ULIS : 35 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Y. Taur / 2001 / Analytic Solutions of Charge and Capacitance in Symmetric and Asymmetric Double-Gate MOSFETs / IEEE Trans. Electron. Devices 48 (12) : 2861 ~
5. [학술대회논문] - J. Autran / 2004 / Quantum- Mechanical Analytical Moddeling of Threshold Voltage in Long-Channel Double-Gate MOSFET with Symmetric and Asymmetric Gates / Proc. of MSM 2004 : 163 ~
2. [학술지(정기간행물)] - T. Poiroux / 2006 / Multigate silicon MOSFETs for 45 nm node and beyond / Solid-State Electronics 50 (1) : 18 ~
3. [학술대회논문] - D. Munteanu / 2003 / Unified Analytical Model of Threshold Voltage in Symmetric and Asymmetric Double-Gate MOSFETs / Proc. of ULIS : 35 ~
4. [학술지(정기간행물)] - Y. Taur / 2001 / Analytic Solutions of Charge and Capacitance in Symmetric and Asymmetric Double-Gate MOSFETs / IEEE Trans. Electron. Devices 48 (12) : 2861 ~
5. [학술대회논문] - J. Autran / 2004 / Quantum- Mechanical Analytical Moddeling of Threshold Voltage in Long-Channel Double-Gate MOSFET with Symmetric and Asymmetric Gates / Proc. of MSM 2004 : 163 ~
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