도핑분포함수에 따른 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압이동현상

정학기

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자료유형: 학술저널

저자정보: 정학기 (군산대학교)

저널정보: 한국정보통신학회 한국정보통신학회논문지 한국정보통신학회논문지 제19권 제4호

발행연도: 2015.4

수록면: 903 - 908 (6page)

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본 연구에서는 비대칭 이중게이트(double gate; DG) MOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화에 따른 문턱전압 이동 현상에 대하여 분석하였다. 반도체소자를 도핑시킬 때는 주로 이온주입법을 사용하며 이때 분포함수는 가우스 분포를 나타내고 있다. 가우스분포함수는 이온주입범위 및 분포편차에 따라 형태를 달리하며 이에 따라 전송특성도 변화하게 된다. 그러므로 비대칭 DGMOSFET의 채널 내 도핑분포함수의 변화는 문턱전압에 영향을 미칠 것이다. 문턱전압은 트랜지스터가 동작하는 최소한의 게이트전압이므로 단위폭 당 드레인 전류가 0.1μA 흐를 때 상단 게이트전압으로 정의하였다. 문턱전압을 구하기 위하여 해석학적 전위분포를 포아송방정식으로부터 급수형태로 유도하였다. 결과적으로 도핑농도가 증가하면 도핑분포함수에 따라 문턱전압은 크게 변하였으며 특히, 고 도핑 영역에서 하단 게이트전압에 따라 이온주입범위 및 분포편차에 의한 문턱전압의 변화가 크게 나타나는 것을 알 수 있었다.

#비대칭 이중게이트 #문턱전압 #도핑분포 #포아송방정식 #가우스분포함수 #asymmetric double gate #threshold voltage #doping profile #Poisson equation #Gaussian distribution function

참고문헌 (8)

참고문헌 신청

G. Deng / 2013 / Binary Multiplication Using Hybrid MOS and Multi-Gate Single-Electron Transistors / IEEE Trans. on VLSI systems 21(9):1573~1582

P. Zhang / 2013 / P-type and N-type multi-gate polycrystalline silicon vertical thin film transistors based on low-temperature / Solid-state electronics 86(1):1~5

S. Jandhyala / 2012 / Inclusion of body doping in compact models for fully-depleted common double gate MOSFET adapted to gate-oxide thickness asymmetry / Electronics Lett 48(13):794~795

R. Vaddi / 2011 / Analytical modeling of subthreshold current and subthreshold swing of an underlap DGMOSFET with tied independent gate and symmetric asymmetric options / Microelectronics J 42(5):798~807

Z. Ding / 2011 / An analytical model for channel potential and subthreshold swing of the symmetric and asymmetric double-gate MOSFETs / Microelectronics J 42:515~519

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