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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2011.6
- 수록면
- 1,338 - 1,342 (5page)
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본 연구에서는 차세대 나노소자인 DGMOSFET에서 발생하는 단채널효과 중 하나인 문턱전압특성에 대하여 분석하고자 한다. 특히 포아송방정식을 풀 때 전하분포를 가우시안 함수를 사용함으로써 보다 실험값에 가깝게 해석하였으며 이때 가우시안 함수의 변수인 이온주입범위 및 분포편차에 대하여 문턱전압의 변화를 관찰하고자 한다. 포아송방정식으로 부터 해석학적 전위분포 모델을 구하였으며 이를 이용하여 문턱전압을 구하였다. 문턱전압은 표면전위가 페르미전위의 두배가 될 때 게이트 전압으로 정의되므로 표면전위의 해석학적 모델을 구하여 문턱전압을 구하였다. 본 연구의 모델이 타당하다는 것을 입증하기 위하여 포텐셜 분포값을 수치해석학적 값과 비교하였다. 결과적으로 본 연구에서 제시한 포텐셜모델이 수치해석학적 시뮬레이션모델과 매우 잘 일치하였으며 DGMOSFET의 도핑분포 함수의 형태에 따라 문턱전압 특성을 분석하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비선형 도핑분포를 이용한 포아송방정식의 해
Ⅲ. 문턱전압의 변화에 관한 고찰
Ⅳ. 결론
참고문헌
참고문헌 (5)
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1. [학술대회논문] - S.Namana / 2010 / A Subthreshold Surface Potential Modeling of Drain/Source Edge Effect on Double Gate MOS Transistor / 2010 International Conference on Electronics and Information Engineering : 87 ~ 91
2. [학술대회논문] - P. Mishra / 2010 / Die-level leakage Power Analysis of FinFET Circuits Considering Process Variations / 11th international symposium on quality electronic design : 347 ~ 355
3. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double- Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - G. Zhang / 2008 / Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile / IEEE Tran. Electron Devices 55 : 803 ~ 809
5. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
2. [학술대회논문] - P. Mishra / 2010 / Die-level leakage Power Analysis of FinFET Circuits Considering Process Variations / 11th international symposium on quality electronic design : 347 ~ 355
3. [학술대회논문] - P.K. Tiwari / 2009 / A 2D Analytical Model of the Channel Potential and Threshold Voltage of Double- Gate(DG) MOSFETs with Vertical Gaussian Doping Profile / IMPACT-2009 : 52 ~ 55
4. [학술지(정기간행물)] - G. Zhang / 2008 / Threshold voltage model for short channel FD-SOI MOSFETs with vertical Gaussian profile / IEEE Tran. Electron Devices 55 : 803 ~ 809
5. [학술지(정기간행물)] - 정학기 / 2011 / Analysis of Doping Profile Dependent Threshold Voltage for DGMOSFET Using Gaussian Function / Journal of Information and Communication Convergence Engineering 9 (3) : 310 ~ 314
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