Ground Plane SOI MOSFET의 단채널 현상 개선

장성준; 윤세레나; 유종근; 박종태; Jean-Pierre Colinge

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자료유형: 학술저널

저자정보: 장성준 윤세레나 유종근 박종태 Jean-Pierre Colinge

저널정보: 대한전자공학회 전자공학회논문지-SD 전자공학회논문지 SD편 제41권 제4호

발행연도: 2004.4

수록면: 297 - 302 (6page)

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매몰 산화층 밑의 실리콘 기판에 자기정렬 방법으로 ground plane 전극을 만든 SOI MOSFET의 단채널 현상과 punchthrough 특성을 측정·분석하였다. 채널 길이가 0.2㎛ 이하의 소자에서는 GP-SOI 소자가 FD-SOI 소자보다 채널 길이에 따른 문턱전압 저하 및 subthreshold swing이 작고 DIBL 현상이 크게 개선됨을 알 수 있었다. 기판전압에 따른 문턱전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 body factor가 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다. 그리고 punchthrough 전압 특성으로부터 GP-SOI 소자의 punchthrough 전압이 FD-SOI 소자보다 큰 것을 알 수 있었다.

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[학술지(정기간행물)] - Jean-Pierre Colinge / 1997. / Silicon-on-Ins ulator Techno logy: Materials to VLSI

[학술지(정기간행물)] - H-S.P. Wong / 1997 / Self-Alig ned(Top and bottom) Double-Gate MOSFET witha 5mm thick silicon channel : 427 ~ 430

[학술지(정기간행물)] - H. Takato / 1988. / High performance CMOS Surrounding Gate Transistor (SGT) for ultra high density LSIs : 222 ~ 225

[학술지(정기간행물)] - D. Hisamoto / 1989. / Tech. Digest of IEDM : 833 ~ 836

[학술지(정기간행물)] - M.H. Gao / 1990. / Tech. Digest of IEDM : 595 ~ 598

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