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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 발행연도
- 2014.11
- 수록면
- 2,709 - 2,714 (6page)
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본 연구에서는 비대칭 이중게이트 MOSFET의 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심의 변화에 대하여 분석하고자한다. 비대칭 이중게이트 MOSFET는 상하단 게이트 산화막의 두께를 다르게 제작할 수 있어 문턱전압이하 영역에서 전류를 제어할 수 있는 요소가 증가하는 장점이 있다. 상하단 게이트 산화막 두께 비에 대한 문턱전압 및 전도중심을 분석하기 위하여 포아송방정식을 이용하여 해석학적 전위분포를 구하였다. 이때 전하분포는 가우스분포함수를 이용하였다. 하단게이트 전압, 채널길이, 채널두께, 이온주입범위 및 분포편차를 파라미터로 하여 문턱전압 및 전도중심의 변화를 관찰한 결과, 문턱전압은 상하단 게이트 산화막 두께 비에 따라 큰 변화를 나타냈다. 특히 채널길이 및 채널두께의 절대값보다 비에 따라 문턱전압이 변하였으며 전도중심이 상단 게이트로 이동할 때 문턱전압은 증가하였다. 또한 분포편차보단 이온주입범위에 따라 문턱전압 및 전도중심이 크게 변화하였다.
목차
요약
ABSTRACT
Ⅰ. 서론
Ⅱ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 차단전류 및 문턱전압 모델
Ⅲ. 비대칭 이중게이트 MOSFET의 문턱전압 및 전도중심 분석
Ⅳ. 결론
REFERENCES
참고문헌 (8)
참고문헌 신청
1. [학술지(정기간행물)] - S. M. Lee / 2013 / A Comparative study on hot carrier effects in inversion-mode and junctionless MugFETs / Solid-State Electronics 79 : 253 ~ 257
2. [학술지(정기간행물)] - G. A. T. Seville / 2014 / Flexible and transparant silicon-on-polymer based sub-20 nm non-planar 3D FinFET for brain-architecture inspired computation / Advanced Materials 26 (18) : 2794 ~ 2799
3. [학술지(정기간행물)] - J. B. Roldan / 2013 / In-depth analysis and modelling of self-heating effects in nanometric DGMOSFETs / Solidstate electronics 79 (1) : 179 ~ 184
4. [학술지(정기간행물)] - K. B. Ali / 2014 / RF performance of SOI CMOS technology on commercial 200-mm enhanced signal integrity high resistivity SOI substrate / IEEE Trans. on Electron Devices 61 (3) : 722 ~ 728
5. [학술지(정기간행물)] - Y. Li / 2008 / Discrete-dopant-fluctuated threshold voltage roll-off in sub-16 nm bulk fin-type field effects transistors / Japanese Journal of Applied Physics 47 (4) : 2580 ~ 2584
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