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저널정보
한국생산제조학회 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 한국공작기계학회 2007 춘계학술대회 논문집
발행연도
2007.5
수록면
42 - 47 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

2007

3차원 적층 실장을 위한 관통 홀 형성 및 전도성 물질 충전 방법 연구
홍성준 ,  이기주 ,  정재필 한국생산제조학회 학술발표대회 논문집 2007.05 학술대회자료
3차원 패키지를 위한 관통 홀 형성과 Cu 충전
홍성준 ,  전지헌 ,  정재필 대한용접·접합학회지 2007.04 학술저널

초록· 키워드

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For three dimensional stack packaging of Si-wafer, formation of a through-hole on Si-wafer and filling of conductive material in the hole was investigated. The through-hole was fabricated by DRIE(Deep Reactive Ion Etcher). Diameter and depth of the through-hole were 40㎛ and 80㎛, respectively. Ti and Au were deposited as an adhesion and a seed layer, respectively. The Au seed layer and Cu filling was influenced by scalloping that was generated at inner side of the through-hole. The through-hole was filled with Cu using pulse-reverse electroplating method. Cu was wetted well on the bottom of the hole, and the hole was filled with Cu without any seam and pinch-off void. Cathode and anode current density were 1000㎃/d㎡, 190㎃/d㎡, respectively.
#three dimensional stack packaging #Si-wafer #through-hole #DRIE #seed layer #Cu filling

목차

Abstract
1. 서론
2. 실험 방법
3. 실험 결과
4. 결론
후기
참고문헌

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