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논문 기본 정보

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대한기계학회 대한기계학회 논문집 A권 대한기계학회논문집 A권 제29권 제9호
발행연도
2005.9
수록면
1,169 - 1,174 (6page)

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Imprint lithography is a promising method for high-resolution and high-throughput lithography using lowcost equipment. In particular, ultraviolet-nanoimprint lithography (UV-NIL) is applicable to large area imprint easily. We have proposed a new UV-NIL process using an elementwise patterned stamp (EPS), which consists of a number of elements, each of which is separated by channel. Experiments on UV-NIL are performed on an EVG620-NIL using the EPS with 3 ㎜ channel width. The replication of uniform sub 70 ㎚ lines using the EPS is demonstrated. We investigate the nonuniformity of residual layer caused by wafer deformation in experiment with varying wafer thickness. Severely deformed wafer works as an obstacle in spreading of dropped resin, which causes nonuniformity of thickness of residual layer. Numerical simulations are conducted to analyze aforementioned phenomenon. Wafer deformation in the process is simulated by using a simplified model, which is a good agreement with experiments.

목차

Abstract

1. 서론

2. 본론

3. 결론

후기

참고문헌

참고문헌 (8)

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