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- 자료유형
- 학술대회자료
- 저자정보
- 발행연도
- 2021.12
- 수록면
- 52 - 52 (1page)
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반도체 메모리 소자 공정에 있어, high aspect ratio contact(HARC) 식각 기술은 메모리 용량을 결정 하는 핵심 공정이다. Ultra large scale integration 반도체 공정의 시대에서 특히 지속적인 issue 사항으로, 계속해서 높은 선택비를 가진 수직한 profile의 HARC 공정 기술이 요구되고 있다.
특히나 3D NAND HARC 식각에서는 SiO₂ 와 Si₃N₄의 적층된 구조의 식각이 필요한 만큼, H가 포함된 hydorfluorocarbon을 이용함으로서, Si₃N₄의 식각에서 HCN 의 형성으로 식각을 촉진 시킬 수 있는 CHF₃, CH₂F₂ 가 많이 이용되고 있고, 뿐만 아니라 비교적 신규물질로서 C₃H₂F<SUB>6</SUB>까지 이용하여 식각을 진행하게 된다. 이처럼, 식각 Dielectric 대비 Mask 물질의 높은 식각 선택비와 빠른 식각 속도를 나타내기 위하여 점차 기존 식각가스가 아닌 대체 식각물질을 이용한 식각에 대한 연구가 더욱 중요해 지고 ... 전체 초록 보기
특히나 3D NAND HARC 식각에서는 SiO₂ 와 Si₃N₄의 적층된 구조의 식각이 필요한 만큼, H가 포함된 hydorfluorocarbon을 이용함으로서, Si₃N₄의 식각에서 HCN 의 형성으로 식각을 촉진 시킬 수 있는 CHF₃, CH₂F₂ 가 많이 이용되고 있고, 뿐만 아니라 비교적 신규물질로서 C₃H₂F<SUB>6</SUB>까지 이용하여 식각을 진행하게 된다. 이처럼, 식각 Dielectric 대비 Mask 물질의 높은 식각 선택비와 빠른 식각 속도를 나타내기 위하여 점차 기존 식각가스가 아닌 대체 식각물질을 이용한 식각에 대한 연구가 더욱 중요해 지고 ... 전체 초록 보기
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