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자료유형
학술저널
저자정보
김의송 (인하대학교 금속공학과) 이종무 (인하대학교 금속공학과) 이종길 (삼성전자 반도체부문 기흥연구소)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제2권 제6호
발행연도
1992.1
수록면
443 - 451 (9page)

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반응성 스팟터법에 의하여 형성된 TiN막 표면상에 CVD 텅스텐막을 증착할 때 여러가지 전처리 실시에 따른 텅스덴의 핵 생성 양상의 변화를 비교 조사하였다. 먼저 Ar rf 스팟터에칭 전처리는 에칭 두께가 200A 이상일 때에는 잠복기와 증착속도를 증가시킨다. Ar 이온주입 전처리는 잠복기를 증가시켜 텅스텐의 핵 생성에는 불리한 효과를 나타내는 반면, 증착속도는 증가시킨다. 또한 Si$H_4$flushing 전처리는 TiN막 표면에서의 Si의 흡착을 용이하게 함으로써 잠복기를 약간 감소시키는 효과를 나타낸다.

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