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대한전자공학회 전자공학회논문지-IE 전자공학회논문지 TE편 제39권 제1호
발행연도
2002.3
수록면
22 - 30 (9page)

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Si, SiO2, TiN, W2N 기판 위에 (hfac)Cu(VTMS) 유기금속 전구체로 증착된 구리 핵을 조사하였다. 증착온도가 증가함에 따라, 기판 종류에 상관없이 180℃에서 구리 핵이 클러스터링으로 성장하는 메커니즘을 관찰하였다. 또한, HF용액으로 세척한 TiN 과 SiO2가 공존하는 기판에서 구리 핵의 선택성이 향상됨을 관찰하였다. TiN을 H2O2로 세척한 후 Dimethyldichlorosilane 처리했을 때 표면이 passivation됨을 확인하였다.

목차

Ⅰ. INTRODUCTION

Ⅱ. EXPER IMENTAL DETAILS

Ⅲ. RESULTS AND DISCUSSIONS

Ⅳ. CONCLUSION

REFERENCES

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