DEPOSITION OF A-SIC : H FILMS ON AN UNHEATED SI SUBSTRATE BY LOW FREQUENCY (50㎐) PLASMA Cvd

M. Shimozuma ,  K. Iba ,  agi 외 5명

한국표면공학회지

1996 .12

전처리가 CVD 텅스텐의 핵생성에 미치는 효과

이종무 ,  권난영 ,  김의송 외 1명

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

통계적 기법을 이용한 선택적 CVD 텅스텐 공정 최적화 연구 ( The Optimization of the Selective CVD Tungsten Process using Statistical Methodology )

황성보 ,  최경근 ,  박흥락 외 1명

전자공학회논문지-A

1993 .12

플라즈마 화학증착법 및 진공 화학 증착법에 의한 텅스텐 박막의 특성 비교 ( I ) ( Characteristic Comparison of Plasma Enhanced CVD and Vacuum CVD Tungsten Thin Films )

김용태 ,  민석기 ,  홍종성 외 2명

대한전자공학회 학술대회

1990 .01

플라즈마 화학증착 텅스텐 박막 특성에 미치는 표면 반응온도의 영향 ( Effects of Surface Reaction Temperature on the Properties of Plasma Enhanced CVD Tungsten Thin Films )

김용태 ,  민석기 ,  이명복 외 3명

대한전자공학회 학술대회

1990 .07

TiN 상에서의 CVD텅스텐막의 성장

김의송 ,  이종무 ,  이종길

한국재료학회 학술발표대회

1992 .01

플라즈마 CVD를 이용한 탄소나노튜브의 성장

방윤영 ,  장원석

한국정밀공학회 학술발표대회 논문집

2005 .06

기상화학증착 텅스텐 막질의 표면 형태에 관한 연구

전동수 ,  김선래 ,  이성영 외 2명

대한전자공학회 학술대회

2008 .06

CVD 기술동향

송주호

전자공학회지

2001 .08

화학 증착법에 의한 텅스텐 박막 ( CVD-W )

이시우 ,  김원규

전자공학회지

1988 .08

RF플라즈마 CVD법에 의한 Diamond합성

박상현 ,  이덕출

대한전기학회 학술대회 논문집

1989 .07

고주파플라즈마 CVD법에 의한 다이아몬드상 탄소박막의 합성

朴相鉉 ,  李德出

전기학회논문지

1990 .10

고주파 플라즈마 CVD에 의한 저 압력에서의 다이아몬드 막의 성장

具孝根 ,  朴相鉉 ,  朴在潤 외 1명

전기학회논문지 C

2001 .02

플라즈마 처리에 따른 CVD 그래핀의 전하 농도 및 이동도 변화에 관한 연구

최민섭 ,  문인용 ,  임영대 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

2012 .05

LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIO_x FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR

Nobuyuki Kakinoki ,  Takenobu Suzuki ,  Osamu Takai

한국표면공학회지

1996 .12

DC Plasma CVD 법에 의한 다이아몬드의 성장에 관한 연구

이상현 ,  예길촌 ,  백운승 외 2명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1993 .11

헬리콘 플라즈마 CVD법에 의한 다이아몬드 박막의 특성

현준원 ,  김경례 ,  김용진 외 1명

한국표면공학회 학술발표회 초록집

1999 .05

레이저 CVD 텅스텐막 증착을 통한 TFT LCD 불량배선 수리

김석군 ,  이기선 ,  손정석

전기전자재료학회논문지

2004 .01

플라즈마 CVD 방법에 의한 oxynitride막의 특성에 관한 고찰

서강원 ,  백광균 ,  권정열 외 3명

대한전기학회 학술대회 논문집

1993 .07