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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
이종무 (인하대학교 금속공학과) 임종민 (인하대학교 금속공학과) 박웅 (Department of Metallurgical Engineering, Inha University)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제11권 제5호
발행연도
2001.1
수록면
361 - 366 (6page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2001

Cu-MOCVD를 위한 TiN기판의 플라즈마 전처리
이종무 ,  임종민 ,  박웅 한국재료학회지 2001.01 학술저널

1993

CVD 텅스텐의 부착 및 누설전류 특성에 미치는 플라즈마 전처리의 효과
이종무 ,  임영진 ,  이종길 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

1992

CVD 텅스텐의 응력 및 접합 누설전류 특성
이종무 ,  최성호 ,  이종길 Applied Science and Convergence Technology 1992.02 학술저널
전처리가 CVD 텅스텐의 핵생성에 미치는 효과
이종무 ,  권난영 ,  김의송 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1992.01 학술대회자료

초록· 키워드

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TiN barrier 막 위에 metal organic chemical vapor deposition (MOCVD)법으로 Cu막을 증착함에 있어 TiN막 표면을 먼저 세정처리하지 않고 바로 Cu막을 증착하려하면 Cu의 핵생성이 어렵고, 그 결과 연속된 Cu막이 형성되지 못한다. 본 연구에서는 SEM, AES, AFM 등의 분석방법을 사용하여 TiN 막 표면에 대한 플라즈마 전처리 세정이 Cu막의 핵생성에 미치는 효과에 관하여 조사하였다. Gu의 전처리 세정방법으로는 direct플라즈마 방식이 원거리 플라즈마 방식보다 훨씬 더 효과적이다. 또한 수소플라즈마 전처리 시 rf-power와 플라즈마 조사시간이 증가함에 따라 세정효과는 더 증대된다. 플라즈마 전처리가 Cu의 핵생성을 고양시키는 원리는 다음과 같다. 플라즈마 내의 수소이온이 TiN과 반응하여 $NH_3$가 됨으로서 질소 성분이 제거되어 TiN이 Ti로 환원된다. Cu는 TiN기판보다는 Ti기판상에서 핵생성이 더 잘 되므로 플라즈마 전처리는 Cu의 핵생성을 돕는 효과를 가져온다.
#pretreatment #plasma

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