공기 중에 노출된 MOCVD TiN 기판이 MOCVD Cu 증착에 미치는 효과

최정환; 변인재; 양희정; 이원희; 이재갑

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자료유형: 학술저널

저자정보: 최정환 (국민대학교 금속재료공학부) 변인재 (국민대학교 금속재료공학부) 양희정 (국민대학교 금속재료공학부) 이원희 (국민대학교 금속재료공학부) 이재갑 (국민대학교 금속재료공학부)

저널정보: 한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제10권 제7호

발행연도: 2000.1

수록면: 482 - 488 (7page)

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연구방법

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연구결과

이 논문의 연구 히스토리 (3)

2000

공기 중에 노출된 MOCVD TiN 기판이 MOCVD Cu 증착에 미치는 효과

최정환 , 변인재 , 양희정 외 2명 한국재료학회지 2000.01 학술저널

1999

새로운 증착원으로 형성된 MOCVD TiN에 관한 연구

최정환 , 이재갑 , 김지용 외 3명 한국재료학회지 1999.01 학술저널

1998

In-situ MOCVD Cu/MOCVD TiN 형성 공정에 관한 연구

최정환 , 박상기 , 이재갑 한국재료학회 학술발표대회 1998.01 학술대회자료

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(hfac) Cu(1,5-COD)(1,1,1,5,5,5-hexafluro-2,4-pentadionato Cu(I) 1,5-cyclooctadine) 증착원을 이용하여 MOCVD(metal organic chemical vapor deposition)로 Cu 박막을 형성시키고, MOCVD에 의한 TiN 기판 변화가 Cu 증착에 미치는 영향을 조사하였다. 공기 중에 노출시킨 기판은 MOCVD 에 의한 Cu 핵생성 및 초기성장에 영향을 미쳐 입자크기가 작고, 입자간의 연결성이 떨어졌으며, in-situ MOCVD Cu의 경우는 입자크기가 크고, 입자간의 연결성이 우수하여 1900$\AA$ 이상의 두께에서는 $2.0{\mu}{\Omega}-cm$ 정도의 낮은 비저항을 유지하였다. 또한 접착력에서는 in-situ MOCVD TiN 의 경우가 보다 우수하였다. 이와 같은 결과를 토대로 MOCVD Cu 성장단계를 제시하였다.

#Nucleation #air-contaminated TiN #In-sita MOCVD Cu

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