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학술저널
저자정보
박재범 (국민대학교 신소재공학부) 이진형 (국민대학교 신소재공학부) 이재갑 (국민대학교 신소재공학부)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제14권 제9호
발행연도
2004.1
수록면
619 - 626 (8page)

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Pulsed metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) of conformal copper seed layers, for the electrodeposition Cu films, has been achieved by an alternating supply of a Cu(I) source and $H_2$ reactant at the deposition temperatures from 50 to $100^{\circ}C$. The Cu thickness increased proportionally to the number of cycles, and the growth rate was in the range from 3.5 to $8.2{\AA}/cycle$, showing the ability to control the nano-scale thickness. As-deposited films show highly smooth surfaces even for films thicker than 100 nm. In addition about a $90\%$ step coverage was obtained inside trenches, with an aspect ratio greater than 30:1. $H_2$, introduced as a reactant gas, can play an active role in achieving highly conformal coating, with increased grain sizes.
#Cu #seed layer #pulsed MOCVD

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