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자료유형
학술저널
저자정보
김재호 (국민대학교 금속재료공학과) 이재갑 (국민대학교 금속재료공학과) 지충수 (국민대학교 금속재료공학과) 박상준 (한국표준과학연구원) 김창수 (한국표준과학연구원) 이은구 (조선대학교 재료공학과)
저널정보
한국재료학회 한국재료학회지 한국재료학회지 제6권 제4호
발행연도
1996.1
수록면
388 - 394 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1996

Carrier gas$(N_2,\;He)$가 MOCVD TiN 형성에 미치는 영향에 관한 연구
김재호 ,  이재갑 ,  지충수 외 3명 한국재료학회지 1996.01 학술저널
Formation of TiN Films by Metal Organic Chemical Vapor Deposition using TDEAT ( Ti [ N ( C2H5 ) 2 ] 4 ) , TDMAT ( Ti [ N ( CH3 ) 2 ] 4 ) and TEMAT ( Ti [ N ( CH3 ) ( C2H5 ) ] 4 )
김재호 ,  이재갑 ,  신현국 외 1명 대한전자공학회 학술대회 1996.01 학술대회자료

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Tetrakis-Diethylamido-Titanium(TDAET) 기체를 이용한 TiN 박막의 막질, 성장률, 및 도포성에 운반기체(N2, He)가 미치는 효과에 관한 조사를 하였다. TiN 박막의 막질과 성장속도는 운반기체에 의해 상당히 많은 영향을 받고 있으며, He 운반기체를 사용하였을 때 성장속도는 낮으나 낮은 비저항(-2500$\mu$$\Omega$-cm)과 낮은 산소 함량을 갖는 박막을 얻을 수 있었다. He 운반기체를 이용하여 증착된 TiN 박막은 대기 중에 노출시켰을 때 비저항이 더 이상 증가하지 않는 안정된 박막 특성을 보이고 있었다. 이와는 대조적으로, N2 운반기체에 따라 다르게 나타나는 막질의 안정성은 막 중에 함유된 산소량에 기인하는 것으로 판단된다. 또한 TDEAT 단일 증칙원 공정에서의 도포성은 aspect ratio가 2.0인 접촉창에서 18-65%인 값을 얻을수 있었고, He 운반기체의 경우항상된 도포성이 얻어졌다.

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