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이용수
ABSTRACT
제1장 서론
제2장 실험 방법
제3장 실험결과 및 고찰
제4장 결론
Reference
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레이저 CVD법에 의해 퇴적된 OXYNITRIDE막의 기판세정법에 따른 특성에 관한 연구
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1992 .05
N₂O 가스에서 열산화에 의해 형성된 oxynitride막의 특성
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1997 .01
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DEPOSITION OF A-SIC : H FILMS ON AN UNHEATED SI SUBSTRATE BY LOW FREQUENCY (50㎐) PLASMA Cvd
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1996 .12
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1994 .01
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1998 .01
PECVD 법으로 증착된 silicon oxynitride 의 물성 분석
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2005 .01
습식 산화한 LPCVD Silicon Nitride층의 물리적, 전기적 특성
한국재료학회지
1994 .01
Characteristics of Silicon Oxynitride Barrier Films on Flexible Polymer Substrates
한국표면공학회 학술발표회 초록집
2008 .06
LOW TEMPERATURE DEPOSITION OFSIOx FILMS BY PLASMA-ENHANCED CVD USING 100 ㎑ GENERATOR
한국표면공학회지
1996 .12
RP-CVD에 의한 비정질 실리콘 박막의 특성 ( Characterization of a-Si : H films deposited by a remote plasma CVD )
대한전자공학회 학술대회
1989 .11
RF플라즈마 CVD법에 의한 Diamond합성
대한전기학회 학술대회 논문집
1989 .07
Characterization of the ultra thin films of silicon oxynitride deposited by plasma-assisted $N_2O$ oxidation for thin film transistors
한국정보디스플레이학회 International Meeting
2006 .01
High Performance Thin-Film Transistors Based on Zinc Oxynitride Semiconductors: Experimental and First-Principles Studies
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2016 .01
플라즈마 CVD를 이용한 탄소나노튜브의 성장
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2005 .06
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