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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제1권 제1호
발행연도
1992.2
수록면
176 - 182 (7page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2001

Cu-MOCVD를 위한 TiN기판의 플라즈마 전처리
이종무 ,  임종민 ,  박웅 한국재료학회지 2001.01 학술저널

1993

CVD 텅스텐의 부착 및 누설전류 특성에 미치는 플라즈마 전처리의 효과
이종무 ,  임영진 ,  이종길 한국재료학회 학술발표대회 1993.01 학술대회자료

1992

CVD 텅스텐의 응력 및 접합 누설전류 특성
이종무 ,  최성호 ,  이종길 Applied Science and Convergence Technology 1992.02 학술저널
전처리가 CVD 텅스텐의 핵생성에 미치는 효과
이종무 ,  권난영 ,  김의송 외 1명 한국재료학회 학술발표대회 1992.01 학술대회자료

초록· 키워드

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CVD 텅스텐의 응력 및 접합 누설전류 특성을 조사하였다. 응력-연속어닐링온도의 그래프는 냉각곡선의 응력이 가열곡선의 그것보다 더 높게 나타나는 이력현상을 보인다. SiH₄ 환원에 의하여 증착된 텅스텐 막이 수소환원에 의하여 증착된 막보다 전반적으로 내부응력 뿐만 아니라 열응력도 더 큰 것으로 나타났으며 전자가 후자에 비해 실리콘 기판과의 부착특성이 불량한 것도 이러한 응력차와 유관한 것으로 생각된다. SiH₄ 환원에 의하여 형성된 텅스텐 막은 상온에서 인장응력 상태에 있으며, 온도가 증가됨에 따라 응력이 감소하다가 700℃ 부근에서 압축응력 상태로 바뀌고, 계속 더 온도가 증가됨에 따라 압축응력이 급격히 증가한다.
SiH₄ 환원에 의한 텅스텐막의 증착온도가 증가함에 따라 n^+/p 접합의 누설전류가 크게 증가하며, 특히 400℃로 온도가 증가함에 따라 누설전류의 증가폭이 크게 나타났는데, 이것은 수소환원 반응시와 유사하게 텡스텐의 침투(encroachment)에 의한 실리콘 소모가 그 원인이다. SiH₄/WF_6 유속비의 증가에 따라서도 누설전류가 증가하는데 그 효과는 미소한 것으로 나타났다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 실험결과 및 검토

4. 결론

참고문헌

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