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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제2권 제3호
발행연도
1993.9
수록면
360 - 367 (8page)

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텅스텐 박막 증착의 메카니즘을 밝히기 위하여 먼저 SiH₄와 WF_6의 열분해 반응에 관한 열역학적 결과들과 표면 촉매 반응에 대한 이론적인 결과들을 고찰하였다. 실험적으론 저압 화학기상 증착법을 이용하여 WF_6를 SiH₄로 환원시켜 텅스텐 박막을 Si(100) 기판위에 증착하였으며 증착 반응 중의 기판 표면의 변화를 in-situ로 측정하였다. 증착 메카니즘을 밝히기 위하여 반응기체를 WF_6, SiH₄, WF_6+ SiH₄, WF_6 → SiH₄ → WF_6+SiH₄로 달리하여 반응시켰으며 그 때의 박막 특성과 표면 및 단면 형상을 측정하였다. 이론적인 고찰과 실험적인 결과들로부터 텅스텐 박막은 먼저 Si기판에 의한 WF_6의 환원반응으로 인한 증착과 이어서 SiH₄에 의한 WF_6의 환원으로 증착됨을 밝혔다.

목차

Abstract

요약

1. Introduction

2. Experimental

3. Results and Discussion

4. Conclusion

Acknowledgements

References

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