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논문 기본 정보

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저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제10권 제1호
발행연도
2001.4
수록면
104 - 111 (8page)

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SiH₄, CH₄, B₂H_6 혼합기체를 이용하여 플라즈마 화학증착법으로 비정질 탄화실리콘(a-SiC:H)박막을 증착하였다. 기상 doping 농도를 0에서 2.5×10^(-2) 범위에서 변화시켜 얻은 박막의 물성을 SEM, XRD, Raman 분광법, FTIR, SIMS, 광흡수도와 전기전도도 분석을 통하여 살펴보았다. B₂H_6/(CH₄+SiH₄) 기체유량비가 증가할수록 붕소의 도핑효율와 미세결정성은 감소하였다. 증착 중 B₂H_6 기체가 첨가됨에 따라 비정질 탄화실리콘 박막의 Si-C-H 결합기의 강도는 감소하였으며, 이의 영향으로 박막내의 수소함량은 B₂H_6/(SiH₄+CH₄)기체 유량비가 증가함에 따라 16.5%에서 7.5%로 단조감소하였다. B₂H_6/(CH₄+SiH₄) 기체유량비가 증가할수록 a-SiC:H 박막의 광학적 밴드갭과 전기활성화 에너지는 감소하였고, 전기전도도는 증가하였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험방법

3. 결과 및 고찰

4. 결론

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