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이용수
1999
요약
Abstract
1. 서론
2. 실험방법
3. 결과 및 고찰
4. 결론
감사의 글
참고문헌
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화학기상증착조건이 SiC 박막의 성장에 미치는 영향
한국결정학회지
1992 .01
N₂/ CH₄가스비에 따른 Hydrogenated Amorphous Carbon Nitride 박막의 특성
Applied Science and Convergence Technology
1998 .08
Characteristics of Oxide Films Deposited with Remote Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition at Low Temperatures From SiH₄-N₂O
Applied Science and Convergence Technology
1994 .12
Process Optimization of PECVD SiO2 Thin Film Using SiH4/O2 Gas Mixture
한국진공학회 학술발표회초록집
2012 .02
저압에서의 사일렌과 디사일렌의 열분해 반응에 관한 연구
Applied Science and Convergence Technology
1995 .12
마이크로파 플라즈마 화학기상증착법(PECVD)과 저압 화학기상증착법(LPCVD)을 이용한 실리콘 기판 위에서의 텅스텐 박막증착
Applied Science and Convergence Technology
1992 .06
Deposition Mechanism of Tungsten thin Film in LPCVD System
Applied Science and Convergence Technology
1993 .09
Si₃N₄상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
Applied Science and Convergence Technology
1998 .05
PECVD로 증착된 a - Si 박막의 고상결정화에 있어서 기판 온도 및 수소희석의 효과
Applied Science and Convergence Technology
1998 .02
SiH₂Cl₂와 NH₃를 이용하여 원자층 증착법으로 형성된 실리콘 질화막의 특성
Applied Science and Convergence Technology
2004 .09
실리콘 박막 태양전지에 관한 SiH4 와 GeH4의 물성데이터 비교에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2010 .08
ECR - PECVD 방법으로 제조한 a-C:H 박막의 결합구조
Applied Science and Convergence Technology
2000 .12
SiH₂Cl₂와 NH₃를 이용하여 원자층 증착법으로 형성된 실리콘 질화막의 특성
한국진공학회 학술발표회초록집
2004 .02
고굴절률 PECVD SiNx 박막의 성장 및 그 표면특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
Study in Mechanism of Hydrogen Retention by C - SiC Films with IR
Journal of Korean Vacuum Science & Technology
2002 .06
Room Temperature Fabrication of Silicon Oxide Thin Films by ECR PECVD
Applied Science and Convergence Technology
1993 .12
He-SiH4혼합가스를 이용하여 RF-PECVD에 의해 증착된 수소화된 나노결정질 실리콘 박막의 재료적 특성에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2011 .02
N₂와 SiH₄ 가스를 사용하여 PECVD로 증착된 Silicon Nitride의 FT - IR spectra 분석과 전기적 특성 분석
한국진공학회 학술발표회초록집
2002 .02
PECVD 공정에 의해 증착된 비정질 실리콘 박막의 특성에 관한 연구
한국진공학회 학술발표회초록집
2013 .08
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