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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제7권 제2호
발행연도
1998.5
수록면
141 - 149 (9page)

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이 논문의 연구 히스토리 (2)

1998

Si₃N₄상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
이찬용 ,  배성찬 ,  최시영 Applied Science and Convergence Technology 1998.05 학술저널

1997

Si₃N₄상에 PECVD법으로 형성한 텅스텐 박막의 특성
이찬용 ,  배성찬 ,  이종현 외 3명 한국진공학회 학술발표회초록집 1997.07 학술대회자료

초록· 키워드

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Si₃N₄상에 PECVD법으로 W 박막을 증착하였다. 기판온도와 소스가스의 유량비가 텅스텐 박막에 미치는 영향을 조사하였다. 150℃~250℃의 온도 범위 내에서 텅스텐 박막의 증착은 표면반응에 의하여 제한되었으며, 기판온도와 SiH₄/WF_6 유량비 변화에 따라 150~530 Å/min의 증착률과 0.85~14.35×10^9 dynes/㎠ 의 스트레스 값을 나타내었다. SiH₄/WF_6 유량비 변화는 W 박막의 증착률과 스트레스에 영향을 주었고, 특히 과도한 SiH₄가스는 W 박막의 구조, 화학적 결합, 스트레스등을 급격히 변화시켰다. TiN, Ti, Mo, NiCr, Al 등 여러 가지 부착층 상에 텅스텐 박막을 증착시킨 결과, Al이 가장 좋은 부착특성을 보였다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험

3. 결과 및 고찰

4. 결론

참고문헌

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