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논문 기본 정보

자료유형
학술저널
저자정보
저널정보
한국진공학회(ASCT) Applied Science and Convergence Technology 한국진공학회지 제4권 제4호
발행연도
1995.12
수록면
350 - 357 (8page)

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SiH₄와 Si₂H_6를 1~3 Torr 정도의 저압에서 열분해시켰을 때, 반응물의 농도 변화를 살펴보고 이로부터 열분해의 반응 기구를 예측하였다. 분석 기기로는 질량 분석기를 이용하였으며, 분해 온도 범위는 SiH₄의 경우는 350~475℃, Si₂H_6의 경우는 275~375℃ 이었다 . SiH₄의 분해 양상은 1차 비가역 반응에 잘 들어 맞았으며, 그 속도 상수는 문헌에 보고되어 있는 상압에서의 속도보다 작았다. Si₂H_6는 낮은 온도 범위에서도 잘 분해되었으며, 중간 생성물로 많은 양의 SiH₄를 만들었다. 그리고 , SiH₄는 고분자화되는 반응을 거치지 않고 고체 실리콘을 생성하지만, Si₂H_6는 중간 생성물로 만들어진 SiH₄와 SiH₂에 의하여, 고분자화 반응을 거쳐서 고체 실리콘을 만들 수 있음을 알았다.

목차

요약

Abstract

1. 서론

2. 실험장치 및 방법

3. 실험결과

4. 결론

참고문헌

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