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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제9호
발행연도
2005.1
수록면
787 - 792 (6page)

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Chemical mechanical polishing(CMP) has become the process of choice for modern semiconductor devices to achieve both local and global planarization. CMP is a complex process which depends on numerous variables such as macro, micro and nano-geometry of pad, relative velocity between pad and wafer stiffness and dampening characteristics of pad, slurry, pH, chemical components of slurry, abrasive concentration, abrasive size, abrasive shape, etc. Especially, an oxidizer of chemical components is very important remove a target material in metal CMP process. This paper introduces the effect of oxidizer such as H2O2, Fe(NO3)3 and KIO3 in slurry for tungsten which is used in via or/and plug. Finally, the duplex reacting mechanism of oxidizer(H2O2) through adding the catalyst(Fe(NO3)3) could acquire the sufficient removal rate in tungsten CMP.
#Chemical mechanical polishing #Tungsten #Oxidizer #Catalyst #Removal rate

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/ / CMP Slurry for Metal Film and its CMP Method google schola / / Non- selective Metal Slurry for CMP and its CMP Method google schola / 1997. / Chemical Mechanical Planarization of Microelectric Materials : 181 ~ google schola / 2000. / Chemical mechanical polishing in silicon processing (63) : 186 ~ google schola / 2000. / Development of an abrasive embedded pad for dishing reduction and uniformity enhance- ment 37 (6) : 948 ~ google schola

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