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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제4호
발행연도
2005.1
수록면
303 - 308 (6page)

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In this paper, the effects of oxidants on tungsten chemical mechanical polishing (CMP) process were investigated using three different oxidizers such as Fe(NO3)3, KIO3 and H2O2. Moreover, the interaction between the tungsten film and the oxidizer was discussed by potentiodynamic polarization measurement with three different oxidizers, in order to compare the effects of W-CMP and electrochemical characteristics on the tungsten film as a function of oxidizer. As an experimental result, the tungsten removal rate reached a maximum at 5 wt% Fe(NO3)3 concentration, and when 5 wt% H2O2 was added in the slurry, the removal rate of W increased. Also, the microstructures of surface layer by atomic force microscopy(AFM) image were greatly influenced by the slurry chemical composition of oxidizers. It was shown that the surface roughness and removal rate of the polished surface were improved in Fe(NO3)3 than KIO3. The electrochemical results indicate that the corrosion current density of the 5 wt% H2O2 and 5 wt% H2O2+ + 5 wt% Fe(NO3)3 was higher than the other oxidizers. Therefore, we conclude that the W-CMP characteristics are strongly dependent on the kinds of oxidizers and the amounts of oxidizer additive.
#CMP #chemical mechanical polishing) #Mixed oxidizer #Potentiodynamic polarization #Electrochemical corrosion.

목차

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참고문헌 (9)

참고문헌 신청
/ 1991. / Application of chemical mechanical polishing to the fabrication of VLSI circuit interconnection 138 (6) : 1778 ~ google schola / 1998. / Chemical mechanical polishing 공정을 이용한 multilevel metal 구조의 광역평탄화에 관한 연구 11 (12) : 1084 ~ google schola / 1999. / Enhanced tungsten chemical mechanical polishing using stable alumina slurries 2 (3) : 148 ~ google schola / 1999. / Studies on passivation behavior of tungsten in application to chemical mecha- nical polishing 17 (4) : 1168 ~ google schola / 1999. / Study of micro-defect on oxide CMP in VLSI circuits 99 : 275 ~ google schola

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