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논문 기본 정보

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저널정보
한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제17권 제2호
발행연도
2004.1
수록면
156 - 161 (6page)

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We investigated the effects of oxidizer additive on the performance of Cu-CMP process using commonly used tungsten slurry. In order to compare the removal rate and non-uniformity as a function of oxidizer contents, we used alumina-based tungsten slurry and copper blanket wafers deposited by DC sputtering method. According to the CMP removal rates and particle size distribution, and the microstructures of surface layer by SEM image as a function of oxidizer contents were greatly influenced by the slurry chemical composition of oxidizers. The difference in removal rate and roughness of copper surface are believed to cause by modification in the mechanical behavior of Al2O3 abrasive particles in CMP slurry.
#Chemical mechanical polishing #CMP) #Tungsten slurry #Removal rate #Non-uniformity #SEM

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/ / An optimization of tungsten plug chemical mechanical polishing (CMP) using different consumables 12 : 632001 ~ google schola / / Localized Corrosion Effect and Modifications of Acidic and Alkaline Slurries Copper Chemical Polishing google schola / 1995. / Copper Metalization for ULSI and Beyond Critical Reviews in Solid State and Materials Science 20 : 87 ~ google schola / 1995. / Giant Magnetoresistance for Tomorrow's Hard Drives 38 : 57 ~ google schola / 1997. / Chemical Mechanical Planarization of Microelectronic Materials google schola

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