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논문 기본 정보

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학술저널
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저널정보
한국기계가공학회 한국기계가공학회지 한국기계가공학회지 제2권 제4호
발행연도
2003.12
수록면
17 - 24 (8page)

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이 논문의 연구 히스토리 (4)

2004

친수성 고분자를 이용한 고정입자패드의 텅스텐 CMP
박범영 ,  김호윤 ,  김형재 외 2명 Journal of the Korean Society for Precision Engineering 2004.07 학술저널

2003

고정입자패드를 이용한 텅스텐 CMP 개발 및 평가
박범영 ,  김호윤 ,  김구연 외 1명 한국기계가공학회지 2003.12 학술저널
Self-Conditioning을 이용한 고정입자패드의 텅스텐 CMP
박범영 ,  김호윤 ,  서헌덕 외 1명 대한기계학회 춘추학술대회 2003.04 학술대회자료

2002

알루미나 고정입자패드를 이용한 텅스텐 CMP 특성 평가
박범영 ,  김호윤 ,  김형재 외 2명 한국정밀공학회 학술발표대회 논문집 2002.10 학술대회자료

초록· 키워드

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Chemical mechanical polishing(CNfP) has been applied for planarization of topography after patterning process in semiconductor fabrication process. Tungsten CMP is necessary to build up interconnects of semiconductor device But the tungsten dishing and the oxide erosion defects appear at end-point during tungsten CMP. It has been known that the generation of dishing and erosion is based on the over-polishing time, which is determined by pattern selectivity. Fixed abrasive pad takes advantage of decreasing the defects resulting fiom reducing pattern selectivity because of the lower abrasive concentration The manufacturing technique of fixed abrasive pad using hydrophilic polymers is introduced in this paper. For application to tungsten CMP, chemicals composed of oxidizer, catalyst, and acid were developed. In comparison of the general pad and slurry for tungsten CMP, the fixed abrasive pad and the chemicals resulted in appropriate performance in point of removal rate, uniformity, material selectivity and roughness

목차

ABSTRACT

1. 서론

2. 화학기계연마

3. 고정입자패드

4. 텅스텐 CMP

5. 텅스텐 CMP 평가

6. 결론

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