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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제6호
발행연도
2005.1
수록면
515 - 520 (6page)

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CMP(chemical mechanical polishing) process has been attracted as an essential technology of multi-level interconnection. Also CMP process got into key process for global planarization in the chip manufacturing process. In this study, potentiodynamic polarization was carried out to investigate the influences of H2O2 concentration and metal oxide formation through the passivation on tungsten and titanium. Fortunately, the electrochemical behaviors of tungsten and titanium are similar, an one may expect. As an experimental result, electrochemical corrosion of the 5 vol% H2O2 concentration of tungsten and titanium films was higher than the other concentrations. According to the analysis, the oxidation state and microstructure of surface layer were strongly influenced by different oxidizer concentration. Moreover, the oxidation kinetics and resulting chemical state of oxide layer played critical roles in determining the overall CMP performance. Therefore, we conclude that the CMP characteristics tungsten and titanium metal layer including surface roughness were strongly dependent on the amounts of hydrogen peroxide oxidizer.
#Potentiodynamic polarization test #Chemical mechanical polishing #CMP) #Removal rate #Electrochemical corrosion

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참고문헌 (8)

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/ 1998. / Chemical mechanical polishing 공정을 이용한 multilevel metal 구조의 광역평탄화에 관한 연구 11 (12) : 1084 ~ google schola / 1999. / Improved STI CMP technology for micro-scratch issue : 322 ~ google schola / 1999. / Investiation of CMP micro-scratch in the fabrication of sub-quarter micron VLSI circuit : 77 ~ google schola / 1999. / Studies on passivation behavior oftungsten in application to chemical mechani- cal polishing 17 : 1168 ~ google schola / 1999. / Study of micro-defect on oxide CMP in VLSI circuits 99 : 275 ~ google schola

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