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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제18권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
12 - 16 (5page)

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Chemical mechanical polishing (CMP) process is one of the most useful methods for improving the surface roughness of films. The effects of CMP on the surface morphology of WO3 films prepared by RF sputtering system were investigated in this paper. A removal rate of films increased, and the uniformity performance of surface decreased with the addition of an oxidizer to the tungsten slurry. Non-uniformity performance of surface was superior as its value was below 5 % when oxidizers of 5.0 vol% and 2.5 vol%, respectively, were added to the tungsten slurry. The optimized oxidizer concentration, reflected both the improved roughness values and hillock-free surface with the good uniformity performance, was 5.0 vol% as an atomic force microscopy(AFM) analysis of thin film topographies. Our CMP results will be a useful reference for advanced technology of thin films for gas sensor applications in the near future.

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