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한국전기전자재료학회 전기전자재료학회논문지 전기전자재료학회논문지 제16권
발행연도
2003.1
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Chemical Mechanical Polishing (CMP) is an essential dielectric planarization in multilayer microelectronic device fabrication. In the CMP process, it is necessary to minimize the extent of surface defect formation while maintaining good planarity and optimal material removal rates. The polishing mechanism of W-CMP process has been reported as the repeated process of passive layer formation by oxidizer and abrasion action by slurry abrasives. Thus, it is important to understand the effect of oxidizer on W passivation layer, in order to obtain higher removal rate (RR) and very low non-uniformity (NU %) during W-CMP process. In this paper, we compared the effects of oxidizer or W-CMP process with three different kind of oxidizers with 5 wt% hydrogen peroxide such as Fe(NO3)3, H2O2, and KIO3. The difference in removal rate and roughness of W in stable and unstable slurries are believed to caused by modification in the mechanical behavior of Al2O3 particles in presence of surfactant stabilizing the slurry.
#Chemical Mechanical Polishing #CMP) #Slurry #Oxidizer #Abrasive #Removal rate #RR) #Non-uniformity #NU)

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