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논문 기본 정보

자료유형
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저널정보
한국전기전자재료학회 Transactions on Electrical and Electronic Materials Transactions on Electrical and Electronic Materials 제6권 제1호
발행연도
2005.1
수록면
29 - 32 (4page)

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Chemical mechanical polishing is an essential process in the production of copper-based chips. On this work, the stability of hydrogen peroxide (H2O2) as an oxidizer of copper CMP slurry has been investigated. H2O2 is known as the most common oxidizer in copper CMP slurry. But H2O2 is so unstable that its stabilization is needed using as an oxidizer. As adding KOH as a pH buffering agent, stability of H2O2 decreased. However, H2O2 stability in slurry went up with putting in small amount of BTA as a film forming agent. There was no difference of H2O2 stability between pH buffering agents KOH and TMAH at similar pH value. Addition of H2O2 in slurry in advance of bead milling led to better stability than adding after bead milling. Adding phosphoric acid resulted in the higher stability. Using alumina C as an abrasive was good at stabilizing for H2O2.
#Copper chemical mechanical polishing #CMP) #Oxidizer #Hydrogen peroxide #H2O2) #Stability

목차

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참고문헌 (7)

참고문헌 신청
/ 1995 / Chemical mechanical polishing of copper for multilevel metallization 91 (1-4) : 192 ~ google schola / 1995 / Initial study on copper CMP slurry chemistries 266 ( 2,) : 238 ~ google schola / 1996 / Stabili-zation of alumina slurry for chemical-mechanical polishing of copper 12 : 3563 ~ google schola / 1998 / A study for global planarization of multilevel metal by CMP 11 (12) : 1084 ~ google schola / 1998 / Modification of the preston equation for the chemicalmechanical polishing of copper 335 (1-2) : 166 ~ google schola

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