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논문 기본 정보
- 자료유형
- 학술저널
- 저자정보
- 저널정보
- 대한전자공학회 JOURNAL OF SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY AND SCIENCE Journal of Semiconductor Technology and Science Vol.10 No.4
- 발행연도
- 2010.12
- 수록면
- 260 - 264 (5page)
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In this paper, Ni silicide is formed on boron cluster (B<SUB>18</SUB>H<SUB>22</SUB>) implanted source/drains for shallow junctions of nano-scale CMOSFETs and its thermal stability is improved, using vacuum annealing. Although Ni silicide on B<SUB>18</SUB>H<SUB>22</SUB> implanted Si substrate exhibited greater sheet resistance than on the BF2 implanted one, its thermal stability was greatly improved using vacuum annealing. Moreover, the boron depth profile, using vacuum post-silicidation annealing, showed a shallower junction than that using N₂ annealing.
목차
Abstract
Ⅰ. INTRODUCTION
Ⅱ. EXPERIMENTAL DETAILS
Ⅲ. MEASUREMENT RESULTS
Ⅳ. CONCLUSIONS
ACKNOWLEDGMENTS
REFERENCES
참고문헌 (10)
참고문헌 신청
C.Y. Lu / 1989 / Reverse short-channel effects on threshold voltage in submicrometer salicide devices / Electron Device Lett. IEEE 10:446
D.-X. Xu / 1998 / Material aspects of nickel silicide for ULSI applications / Thin Solid Films 326:143
X. Lu / 2002 / Cluster-ion implantation: An approach to fabricate ultrashallow junctions in silicon / J. Vac. Sci. Technol. B 20:992
Y. Kawasaki / 2005 / Ultra-shallow junction formation by B18H22 ion implantation / Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 237:25
M. Ishibashi / 2005 / Advantages of B18H22 Ion Implantation and Influence on PMOS Reliability / International Workshop on Junction Technology’05 :31
D.-X. Xu / 1998 / Material aspects of nickel silicide for ULSI applications / Thin Solid Films 326:143
X. Lu / 2002 / Cluster-ion implantation: An approach to fabricate ultrashallow junctions in silicon / J. Vac. Sci. Technol. B 20:992
Y. Kawasaki / 2005 / Ultra-shallow junction formation by B18H22 ion implantation / Nucl. Instrum. Methods Phys. Res. B 237:25
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