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저널정보
전력전자학회 ICPE(ISPE)논문집 1998년 ICPE논문집
발행연도
1998.10
수록면
231 - 234 (4page)

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The soft reverse recovery characteristics of P-I-N power diodes by different lifetime killer were compared in this paper. It was concluded that the best local lifetime control at N" base was achieved through the optimization of penetrated depth into the wafer by 5 MeV proton irradiation, resulting in significant soft recovery performance in our study. The results of 5~12 MeV electron irradiation and platinum diffusion were also discussed here.

목차

ABSTRACT

1.INTRODUCTION

2.BASIC PRINCIPLES

3.MAIN EXPERIMENT

4.CONCLUSION

5.REFERENCES

참고문헌 (0)

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